فناوری پردازش نیمه هادی ایندیم فسفید (InP).
فهرست مطالب
مقدمه
الزامات برنامه
مشخصات سیستم
جریان پردازش
پرونده مشتری
الزامات برنامه
پردازش ویفر InP باید به اهداف زیر دست یابد:
زبری سطح: ارسال{0}}رای پرداخت کمتر یا مساوی 1 نانومتر
تغییر ضخامت کل (TTV): ویفر نهایی TTV کمتر یا مساوی 2 میکرومتر
کنترل ضخامت: ضخامت هدف 150 میکرومتر (با توجه به نیاز مشتری)
صافی لبه: تاب برداشتن لبه در مرحله پرداخت را با استفاده از یک صفحه آسیاب محدب جبران کنید.
مشخصات سیستم
سیستم سنگ زنی و پرداخت دقیق HSM یک راه حل فرآیندی کامل- ارائه می دهد.
جریان پردازش
آماده سازی آسیاب
برای کالیبره کردن محدب صفحه سنگ زنی شیشه (که برای جبران اثرات لبه صیقل استفاده می شود) از یک گیج تست صافی استفاده کنید.
ویفر InP را روی فیکسچر اختصاصی (ASJ) قرار دهید. سنگ زنی دو مرحله ای با استفاده از دوغاب آلومینا انجام دهید:
مرحله 1:آسیب برش را حذف کنید، زبری را به 250-350 نانومتر کاهش دهید.
مرحله 2:صافی را بهبود بخشید، به زبری 200-350 نانومتر و TTV کمتر یا مساوی 3 میکرومتر رسید.
آماده سازی پولیش
صفحه Lapping را با یک پد پولیش تعویض کنید و ساینده را به دوغاب پرداخت تخصصی HSM تغییر دهید.
کنترل پارامترهای کلیدی از طریق رابط گرافیکی:
سرعت صفحه پولیش: کمتر یا مساوی 100 دور در دقیقه
نرخ جریان دوغاب: توسط یک سیستم کنترل{0} زمان واقعی تغذیه چکه کنترل می شود (ضایعات را کاهش می دهد)
بار فشار: به صورت دینامیکی بر اساس الزامات ضخامت تنظیم می شود.
هدف: آسیب‌های سطح زیر-را حذف کنید و به سطح اتمی صاف (Ra کمتر یا مساوی 1 نانومتر) برسید.
نتایج
ویفرهای 2{1} اینچی InP پردازش شده توسط سیستم HSM-LP عملکرد زیر را به دست آوردند:
پرونده مشتری
یک مشتری از سیستم HSM-LP برای پردازش ویفرهای 2 اینچی (50 میلی متری) InP استفاده کرد. روند و نتایج به شرح زیر است:
سنگ زنی دو مرحله ای:
تحدب ورقه ورقه ای کالیبره شده به انحنای هدف (برای مقابله با تاب برداشتن لبه).
مواد به تدریج با دوغاب آلومینا حذف شدند، TTV در 3 میکرومتر تثبیت شد.
جلا دادن:
سرعت جریان دوغاب پولیش 50 میلی لیتر در دقیقه، سرعت صفحه در 80 دور در دقیقه تنظیم شده است.
زبری سطح از 350 نانومتر به 1 نانومتر کاهش یافت (تأیید شده توسط پروفیلومتر Dektak).
معیارهای نهایی:
ضخامت: 0.5 ± 150 میکرومتر
صافی: TTV کمتر یا مساوی 1 میکرومتر
یکپارچگی لبه: بدون تراشه.
اعتبار سنجی فنی
شماتیک: مورفولوژی سطح ویفر InP پس از پردازش توسط سیستم HSM-LP.
یادداشت ها:
تجهیزات اندازه گیری: تداخل سنج نور سفید Bruker ContourGT
کامل-بازده فرآیند: بیشتر یا مساوی 98٪ (اندازه دسته ای 80 ویفر)
